电离总剂量的影响如果垂直扩散与SiO MOSFET₂,如果₃N₄/ SiO₂门电介质

(一)如果VDMOS的TID偏见不同辐照后不同的栅电介质;(b)和如果与单一SiO VDMOS的特征₂和双硅₃N₄/ SiO₂门电介质辐照后不同的TID偏见。