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有源和无源电子元件
有源和无源电子元件/2017/文章/图2

研究文章

硅垂直扩散MOSFET的总电离剂量效应2,如果3.N4/ SiO2门电介质

图2

- 不同栅极介质和不同氧化条件下的Si VDMOS辐照前后的特性 = 10v(实线:辐照前;虚线:TID照射后)。
(一)
(b)

年度文章奖:由我们的主编选出的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．