Si垂直扩散MOSFET与SiO的总电离剂量效应₂,如果_3.N₄/ SiO₂门电介质

-对不同栅极介质和不同氧化条件下的Si VDMOS在TID辐照前后的特性进行了研究= 10v(固体:TID之前;开放:在TID)。