主动和被动电子元件
研究文章

一些非常规的低耗电分离MOSFET-IGBT门驱动供给

表3

与1变压器相比6变压器电压降。
电容器主要的腿上 的变形金刚 电压降(mV)
100年µF(电解类型)与10Ω,当地供给负载 6 990年
1 917年
1µF×2(电影类型)与当地供应打开负载 6 664年
1 579年
1µF×2(电影类型)与当地供应打开负载 6 59.48
1 46.44