主动和被动电子元件
研究文章

一些非常规的低耗电分离MOSFET-IGBT门驱动供给

表1

变压器参数共模滤波器。
参数 价值
磁化电感(分钟) 1 mH
磁化电感(测量) 1.6 mH
小学和之间的绝缘
2 s期间次级线圈(rms) 		2.4 kV
主要二次耦合电容器 3 pF
主变 43
二次转 43
额定电流交流 0.7
最大直流电阻(线) 0.6Ω
上升的温度 40 K
重量 3.5克
短路唐森阻抗1 KHZ 32µ1.017 HΩ
短路唐森阻抗为100千赫 31.16µ0.86 H,Ω
脚印 10×14毫米
销的距离大小 7毫米×8毫米
核心横截面 3.0毫米×3.0毫米
明显的磁导率 2753年
艾尔 865 nh /转2
在7.5 V峰值广场磁化的损失 8.23兆瓦
短路电阻器在100千赫 0.855Ω
成本/单位在较大的数量 0.35欧元
从变压器参数目录。 参数测量的实验室。