主动和被动电子元件/2015年/文章/图7

研究文章

使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet

图7

模拟的变化 为每个提取阻力值的范围−0.5 V和0.5 V 2 V的步骤。 是固定的0.1 V。

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