使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet

有效的电子迁移率和关系(半对数)提取模拟传输特性使用默认βUTB模型和讲设备。比较讲的电子迁移率从测量中提取设备。是固定的0.1 V。