///图1

研究文章

使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet

图1

十字架(a) 3 d视图和(b)的2 d的放大UTB(46纳米厚的SOI频道)装置,利用TCAD仿真过程。,,轴在微米单位

(一)

(b)

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。