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研究文章

Y功能分析超薄薄膜的低温行为FD SOI mosfet

表3

总结表和值的提取与的关系。第三行,这一次,GRC / UTB象征比率增加了强调区别两个设备的参数和巨大的比例差异,建立在相同的条件和过程。


	= 300 K			= 77 K
	(k)	(V⁻¹)	(V⁻¹)	(k)	(V⁻¹)	(V⁻¹)

UTB (= 46海里)	0.103	0.0215	0.151	0.046	−0.019	0.11
GRC (= 2.2海里)	1730年	−0.176	0.530	8930年	−0.146	0.06
参数比GRC / UTB	16796年	−8.19	3.51	194130年	7.68	0.54

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。