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主动和被动电子元件
主动和被动电子元件/2014年/文章/选项卡2

研究文章

Y功能分析超薄薄膜的低温行为FD SOI mosfet

表2

阈值电压的总结表 , 因素,和低流动性提取领域 函数十字路口和斜坡和UTB GRC设备在300 K和77 K。UTB / GRC象征比率的第三行是添加到强调区别这两个设备的参数,建立在相同的条件和过程。
= 300 K = 77 K
(V) ( S / V) (cm2/ Vs) (V) ( S / V) (cm2/ Vs)
UTB ( = 46海里) −0.65 1470年 1210年 + 0.26 2410年 2000年
GRC ( = 2.2海里) −2.35 31日 0.222 −2.60 0.007 0.005
参数比UTB /集选区 0.28 47.42 5450年 −0.10 344286年 400000年

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。