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研究文章
Y功能分析超薄薄膜的低温行为FD SOI mosfet
图4
Y
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建模对栅电压超速档(),如提取UTB函数(= 46海里)和GRC (= 2.2海里):(a): UTB,= 80米/ 8m和= 300 K。(b): UTB,= 80米/ 8m和= 77 K。(c):集选区,= 80米/ 8m和= 300 K。(d):集选区,= 80米/ 8m和= 77 K。