 |
|
|
|
 |
|
|
|
 |
|
|
|
 |
|
|
研究文章
y- 超薄薄膜FD SOI MOSFET的低温行为的功能分析
图3.
y
μ.
μ.
μ.
μ.
μ.
μ.
μ.
μ.
- UTB的阈值域（线性域）上方测量的功能（= 46 nm）和grc（= 2.2nm），两个低值（0.05 V和0.1 V）：（a）：UTB，= 80 M / 8. m和= 300 K.（b）：UTB，= 80 M / 8. m和= 77 K.（c）：grc，= 80 M / 8. m和= 300 K.（D）：GRC，= 80 M / 8. m和= 77 K.