Y功能分析超薄薄膜的低温行为FD SOI mosfet

W / L μ μ W / L μ μ W / L μ μ W / L μ μ - - - - - -超出阈值的特征测量UTB域(线性域)(和GRC(= 46海里)= 2.2海里),两个低值(0.05 V和0.1 V):(一):UTB,= 80米/ 8m和= 300 K。(b): UTB,= 80米/ 8m和= 77 K。(c):集选区,= 80米/ 8m和= 300 K。(d):集选区,= 80米/ 8m和= 77 K。