主动和被动电子元件/2012年/文章/图7

研究文章

High-k /金属栅pMOSFET的可靠性的提高与各种PMA设备条件

图7

2 的- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -曲线的C, N退火前后样品的压力。
872494. fig.007

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