-Al and Ti-–Pt Tunnel Diodes"> 表1 |新型Ti-Al和Ti-Pt隧道二极管的制造和表征 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
有源和无源电子元件/2012/文章/表1

研究文章

新型钛合金的制备与表征- -铝和钛- –Pt隧道二极管

表1

比较文献和本文中报道的MIM二极管的器件特性。

工作 mim二极管的类型 电介质厚度(沉积方法) 灵敏度(V−1.)

金属绝缘体金属
Hoofring等人[7.] Ni-NiO-Au(0.64 μM2.) 2.2 纳米(等离子体) 4.55 1.1
克里希南等人[8.] Ni-NiO-Cr(1 μM2.) 3. 纳米(反应溅射) 5. ~1.1
克里希南等人[9] Ni-NiO-Cr/Au(100 μM2.-1 μM2.) 3. 纳米(等离子体) NA 4.5–6
克里希南等人[10] Ni-NiO-Cr/Au(1) μM2.面积) 3. 纳米(等离子体) 7.
克里希南等人[10] Ni-NiO-Cr/Au(100 μM2.面积) 3. 纳米(等离子体) 15 NA
这项工作 钛钛2.-Al(21287) μM2.面积) 9 nm(本机) 18 6.5

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