研究文章
制备和表征的新Ti -过程和Ti -pt隧道二极管
图1
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(一)工艺流程原生氧化样品(左)和等离子体氧化样品(右)。顶部电极被荫罩沉积技术。200微米大小的方块,沉积了100微米,50微米。(b) MIM隧道二极管及其微观结构俯视图显示大小的Pt平顶山200米、10050米,m广场。
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-Al and Ti-–Pt Tunnel Diodes ">