有源和无源电子元件/2012/文章/图1

研究文章

高正向栅偏置和电流的非常鲁棒的AlGaN/GaN HEMT技术

图1

3. 5 在栅极应力事件之间的表征过程中,器件的传输和跨导曲线(a)和相关栅极电流绝对值(b)。插图显示了相同数据集中感兴趣区域的详细信息。额外的栅极电流见上文(b)在210分钟的压力(上曲线)后,在较长的压力时间(第二到上曲线)后看不到V。目前尚不清楚是否存在临时测试问题,或者这是否真的存在。
493239. fig.001a
(一)
493239. fig.001b
(b)

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