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有源和无源电子元件
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2012
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文章
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图1
研究文章
高正向栅偏置和电流的非常鲁棒的AlGaN/GaN HEMT技术
图1
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3.
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5
在栅极应力事件之间的表征过程中,器件的传输和跨导曲线(a)和相关栅极电流绝对值(b)。插图显示了相同数据集中感兴趣区域的详细信息。额外的栅极电流见上文(b)在210分钟的压力(上曲线)后,在较长的压力时间(第二到上曲线)后看不到V。目前尚不清楚是否存在临时测试问题,或者这是否真的存在。
(一)
(b)
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年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。
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