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主动和被动电子元件
研究文章

的比较研究 , ,成为超薄界面势垒层硅金属氧化物半导体设备

图9

2 2 3 三个门栈的特点。同天IL显示SiO相比显著增加的驱动电流和艾尔O伊尔门栈。
359580. fig.009a
(一)
359580. fig.009b
(b)
359580. fig.009c
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