on Treated III-V Semiconductors "> 表1 | Postmetallization退火的理解金属-半导体III-V治疗 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

主动和被动电子元件
研究文章

的理解Postmetallization退火金属- 在 对待III-V半导体

表1

电特性的PMA tio (350°C)2/输入和PMA tio (350°C)2/砷化镓。
MOS结构 介电常数 泄漏电流在1 MV /厘米 界面态密度 的磁滞回线
tio PMA (350°C)2/ S-InP 44 2.7×10−7和2.3×10−7一个/厘米2 7.13×1011厘米−2电动汽车−1 17号
tio PMA (350°C)2/ S-GaAs 66年 9.7×10−8和1.4×10−7 5.96×1011厘米−2电动汽车−1 9号