on Treated III-V Semiconductors "> 图15 | Postmetallization退火的理解金属-半导体III-V治疗 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

主动和被动电子元件
研究文章

的理解Postmetallization退火金属- 在 对待III-V半导体

图15

2 TiO的氧化物陷阱密度和移动离子密度/S-GaAs MOS结构作为PMA温度的函数。
148705. fig.0015