on Treated III-V Semiconductors "> 图11 |在处理后的III-V半导体上对金属化后的MOCVD-理解 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

主动和被动电子组件
研究文章

理解金属化后的MOCVD- 在 处理的III-V半导体

图11

2 TIO的氧化陷阱密度和移动离子密度/S-INP MOS结构与PMA温度的关系。
148705.fig.0011