on Treated III-V Semiconductors "> 图10 | Postmetallization退火的理解金属-半导体III-V治疗 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

主动和被动电子元件
研究文章

的理解Postmetallization退火金属- 在 对待III-V半导体

图10

2 (一)TiO的磁滞回路/S-InP, (b) PMA 300°C, (C) PMA 350°C,和(d) PMA 400°C。
148705. fig.0010a
(一)
148705. fig.0010b
(b)
148705. fig.0010c
(c)
148705. fig.0010d
(d)