主动和被动电子元件gydF4y2Ba

主动和被动电子元件gydF4y2Ba/gydF4y2Ba2011年gydF4y2Ba/gydF4y2Ba文章gydF4y2Ba

研究文章|gydF4y2Ba开放获取gydF4y2Ba

体积gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba |gydF4y2Ba文章的IDgydF4y2Ba 192818年gydF4y2Ba |gydF4y2Ba https://doi.org/10.1155/2011/192818gydF4y2Ba

Ebrahim西迪gydF4y2Ba,gydF4y2Ba ”gydF4y2Ba一个使用MOS Translinear循环模拟基于模板的分类器gydF4y2Ba”,gydF4y2Ba主动和被动电子元件gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 卷。gydF4y2Ba2011年gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 文章的IDgydF4y2Ba192818年gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 页面gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba。gydF4y2Ba https://doi.org/10.1155/2011/192818gydF4y2Ba

一个使用MOS Translinear循环模拟基于模板的分类器gydF4y2Ba

学术编辑器:gydF4y2BaSudhanshu MaheshwarigydF4y2Ba
收到了gydF4y2Ba 2011年1月26日gydF4y2Ba
修改后的gydF4y2Ba 2011年3月14日gydF4y2Ba
接受gydF4y2Ba 2011年4月15日gydF4y2Ba
发表gydF4y2Ba 08年6月2011年gydF4y2Ba

文摘gydF4y2Ba

一个模拟模板匹配的模式分类器电路基于欧氏距离计算的新合成。它由简单的二象限平方电路/分频器模块。电路采用mosfet在强大的反向饱和区域经营的执行电子模拟translinear循环。转换器的特性非常低电源电压(0.9 V),从身体的免疫效果,二象限输入电流,大动态范围和低电路的复杂性。电路被成功地应用于一些简单的模式的识别。由HSPICE仿真结果显示分离的高性能电路和证实了该技术的有效性。gydF4y2Ba

1。介绍gydF4y2Ba

分类算法作为一种信息处理的关键函数是用于分析矢量数据组。事实上,这个算法是用来寻找最佳原型向量,输入向量进行比较。有两种方法可以实现分类器。一个是采用数字计算机,另一种是使用模拟电路。分类算法的模拟实现对数字实现拥有一系列的优点。复杂的模拟电路模块需要实现这样的系统与数字对应相比一般较低,此外,A / D和D / A接口不需要对传感器和致动器。此外,可以获得更好的性能在信号处理速度方面,通过充分利用模拟电路来实现并行处理的能力。,因为这将是无法忍受地耗费时间当模板模式的数量相当大,甚至过剩的问题是最先进的计算机技术。因此,采用并行模拟实现超大规模集成(VLSI)架构所需的实时分类器电路。一个有吸引力的方法实现分类算法采用欧氏距离计算器。 Recently, some analog integrated forms of Euclidean distance calculator have been proposed [1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。他们可以用于分类算法来测量距离一个输入模式的原型模式。尝试之一是设计矢量求和电路电压型方法基于双动态translinear实现(gydF4y2Ba1gydF4y2Ba]。然而,在许多情况下,尤其是在混合A / D系统中,需要实现电路MOS技术(gydF4y2Ba2gydF4y2Ba]。但在传统的电压型架构,降低电源电压水平有一个明确的对电路的动态范围的影响。电流型方法值得特别提及,因为它提供了一个大动态范围的电流被认为是处理变量,同时保持降低电压波动。在电流型处理主要是在当前域的输入信号是非线性转换为电压信号压缩域。以当前模式方法的优势,欧几里得距离计算器电路提出了在当前模式下(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。在这些提议,欧几里得距离计算器电路已经由几个基本构件,如几何平均数,平方电路/分频器,绝对和减法器。这些功能的设计,堆放translinear循环(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba5gydF4y2Ba线性transconductors[]或ab类gydF4y2Ba6gydF4y2Ba)已经被使用。论文提出了电路的主要缺点如下:首先,这些电路操作在一个象限输入电流这意味着所需的额外功能全波整流是必要的;其次,所需的额外功能导致大量的晶体管和高功耗;第三,身体的影响translinear mosfet的平方电路/分频器块降低了精度;最后,在这些电路的叠加gate-source MOS晶体管电压,他们通常不适合低电压操作。在[gydF4y2Ba7gydF4y2Ba),提出了基于电流镜的MOS电流型分类器;然而,这种电路需要双重供应和大型电源电压的成本。gydF4y2Ba

在本文中,为了克服上述问题,一种新颖的合成基于欧氏距离分类器算法计算器(gydF4y2Ba8gydF4y2Ba]。提出了合成,基本构建块的数量严重减少,和它只是由简单的二象限平方电路/分频器单元(gydF4y2Ba8gydF4y2Ba,gydF4y2Ba9gydF4y2Ba)为基本单位。因此,系统的复杂性提出了远低于那些报道之前(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。完整的系统减少了识别时间的并行特性,导致一个非常规则的结构。提出了合成,一个新的平方电路/电子分频器基于模拟translinear循环提出了使用二象限输入。拟议的平方电路/分频器电路在二象限输入,所以绝对不需要和减法器单元。在这个电路中,由于这一事实的来源translinear场效应管连接到基板上,这个电路是对身体的免疫效果。gydF4y2Ba

本文组织如下。节gydF4y2Ba2gydF4y2Ba、数学理论和分析的电流型模糊分类器,也讨论了欧几里得距离计算器。部分gydF4y2Ba3gydF4y2Ba解释了该电路设计为二象限平方电路/分频器单元,作为分类器的基本构建块。给出了仿真结果和讨论部分gydF4y2Ba4gydF4y2Ba,并提供了结束语部分gydF4y2Ba5gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

2。理论和电流型模糊分类器的分析gydF4y2Ba

模糊模式识别分类技术是有吸引力的解决方案,实现并行计算系统。特别是,模糊识别的数据最近邻原型(FNP)是非常有效的在这种类型的系统gydF4y2Ba4gydF4y2Ba,gydF4y2Ba10gydF4y2Ba,gydF4y2Ba11gydF4y2Ba]。换句话说,它是找到最优的基础原型向量,输入向量相比,使用模糊值表示为隶属度。因此,该算法可以使用作为分类的识别任务。在这个算法的第一步,每个模板之间的相似性gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和一个输入未知模式gydF4y2Ba gydF4y2Ba 计算欧氏距离来衡量吗gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。距离越小gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 是,更多的相似性gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 是多少。换句话说,欧几里得距离直接测量模板向量之间的相似度接近一个输入向量,在某种意义上,在一组有限的参考向量,至少从输入是最遥远的一个类似于输入。因此,欧氏距离分类算法是有用的(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

两个之间的欧氏距离gydF4y2Ba gydF4y2Ba 维向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ⋯gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ⋯gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 表示如下:gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ⎷gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba gydF4y2Ba th输入向量的gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,分别。gydF4y2Ba

改善可解释性和简化决策系统,一个简单的模型的隶属度函数是用于分类器,它允许我们正常化欧几里得距离计算器不仅为了正常输出,也为类似激活输出输入模式。在大多数的模糊控制系统,由用户任意选择隶属度函数根据他们的观点。在模式识别问题,尝试了在隶属函数分析的灵活性和不确定性评估使用绑定函数。在目前的工作,在第二步中,模糊隶属度的价值gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,一个特定的输入gydF4y2Ba gydF4y2Ba 相对于模板向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,表示如下gydF4y2Ba4gydF4y2Ba]:gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba

方程(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba)产生的隶属度值时对应的距离是零,零对应的距离趋于无穷。因此,输入向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba 可以分为类与最大隶属度。gydF4y2Ba

在传统的电压型集成电路,由于线性的构建块,内部电压波动容易达到适度的电源电压输入所强加的限制水平。一个优雅的解决这一问题的过程是设计电路外部相当于线性实现,在当前形式,其内部输入和输出电压波动是压缩对同行在线性系统;因此,一个大摇摆在输入信号不会翻译成相应的内部电压波动大,对于线性电路;相反,内部电压将保持几乎无视这个增加输入电平如果压缩法是足够强大gydF4y2Ba12gydF4y2Ba]。这种替代处理不仅是可能的,而且很容易由利用电流型的方法。提出了许多有用的合成方法(gydF4y2Ba1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba,gydF4y2Ba8gydF4y2Ba,gydF4y2Ba9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba12gydF4y2Ba,gydF4y2Ba13gydF4y2Ba电流型电路),列明的兴趣增长在过去几年,主要是因为他们提到的是否适合保存动态范围在低电压的情况下由现代技术。当前模式的基本特征是利用非线性电流-电压特性的双相(gydF4y2Ba14gydF4y2Ba[],金属氧化物半导体晶体管gydF4y2Ba2gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba)以达到减少电压波动在内部节点,从而使大动态范围在低电压供应。代码实现的扩展和适用性是最好表现在现代deep-submicron CMOS集成流程(gydF4y2Ba12gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

重新安排的定义gydF4y2Ba gydF4y2Ba 维向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 以欧几里得距离的硬件实现电路,(gydF4y2Ba1gydF4y2Ba)表示如下:gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ⋯gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ⋯gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 当前的向量表示吗gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,分别。同时,gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba gydF4y2Ba th输入向量的gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,分别。gydF4y2Ba

采用电流型的方法,一个等效的功能(gydF4y2Ba2gydF4y2Ba在当前模式下)给出如下:gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ⎷gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 当前的欧几里得距离表示吗gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

(直电路设计方法之一gydF4y2Ba5gydF4y2Ba)是使用一个平方根和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 平方电路单元,此外gydF4y2Ba gydF4y2Ba 减法器的单位和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 绝对单位(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。然而,一个有效的方法是建议在这工作要减少数量的基本构建块。为此,两岸(平方操作gydF4y2Ba5gydF4y2Ba),这导致gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在数学上等价的表达式,但更精确的考虑系统的偏移量(gydF4y2Ba15gydF4y2Ba),是获得gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ∑gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 之间的区别是gydF4y2BakgydF4y2Ba两个向量的条目gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,它等于gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 打破了分子的加权求和条件(gydF4y2Ba7gydF4y2Ba),同时使用这一事实gydF4y2Ba ∑gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ∑gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,它可以写成gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 等于gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 右手边的gydF4y2Ba9gydF4y2Ba)的总和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 二象限平方电路/分频器单元。对于每个平方电路/分频器单元,输出电流gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,输入电流之间的区别gydF4y2Ba gydF4y2Ba 两个向量的条目gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,输入单元和输出电流的平方欧氏距离计算器gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 的因子输入单元。应该指出,输入电流平方平方电路/分频器单元的分子是双向电流信号。因此,平方电路/分频器设计单位应该经营二象限。gydF4y2Ba

也为电流型,实现组件的模糊层,隶属度计算器gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 用于当前的欧几里得距离的信号表示和当前信号gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 表示隶属度吗gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。缩放操作,电流信号,使得当前级别的隶属度在这个设计一致,一个恒定的归一化电流信号gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 介绍了。所以,(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba)用电流型表示如下gydF4y2Ba4gydF4y2Ba]:gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 产生一个隶属度值不断的归一化电流信号gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (= 20 uA)相应的距离是零,零隶属度趋于无穷时相应的距离。”gydF4y2Ba

从(gydF4y2Ba11gydF4y2Ba),隶属度计算器可以由用人平方电路设计/分频器单元的输入电流gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 分别平方和因子的输入。gydF4y2Ba

图gydF4y2Ba1gydF4y2Ba显示了电流型模糊分类器的框图。它是由两个原则构建块:欧氏距离计算和隶属度计算器。在这个图中,欧氏距离计算块组成gydF4y2Ba gydF4y2Ba 二象限是平方电路/分频器单元并联形式,根据(gydF4y2Ba9gydF4y2Ba)。这些并行单元级联与另一个平方电路/分频器单元,用于实现隶属度计算器,根据(gydF4y2Ba11gydF4y2Ba)。从这个图中,可以看出,设计模糊分类器只是需要设计二象限平方电路/分频器单元,为基本单位。因此,提出了合成的基本构建块数量严重减少相比其他建议报告之前gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

3所示。电路的设计提出了平方电路/分频器gydF4y2Ba

平方电路/分频器可以利用法数据转换器的实现gydF4y2Ba16gydF4y2Ba],translinear循环[gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba5gydF4y2Ba),或ab类跨导(gydF4y2Ba6gydF4y2Ba)电路。所有这些上述平方电路/分频器电路操作在一个象限的输入电流。此外,雇佣法转换器需要大量的晶体管,开关和电容导致电路复杂性高,芯片面积和功耗gydF4y2Ba16gydF4y2Ba]。金属氧化物半导体translinear电路可以分类如下:多层循环,上下循环,和电子模拟循环(gydF4y2Ba13gydF4y2Ba]。堆叠循环(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba5gydF4y2Ba)类似于ab类跨导(gydF4y2Ba6gydF4y2Ba]遭受身体的效果。影响身体的效果在上下循环(gydF4y2Ba17gydF4y2Ba)小于堆叠循环但更多的晶体管电路的电流注入是必需的。gydF4y2Ba

为了实现金属氧化物半导体Translinear循环、MOS晶体管被认为是在强大的反演和饱和度,gate-source电压将连接在系列。所以gate-to-source电压相关的(gydF4y2Ba17gydF4y2Ba]gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 场效应晶体管的漏极电流和gate-source电压在强烈的反转和饱和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba 代表跨导参数和gydF4y2Ba gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba 是阈值电压gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba /gydF4y2Ba gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 图gydF4y2Ba2gydF4y2Ba显示了基本的电子电路的模拟translinear循环使用场效应管在饱和区域运营。电路由三个MOS晶体管(M1、M2和M3)和两个运算放大器(Op1和Op2)。这两个运算放大器用于电压意味着操作和它们迫使晶体管的栅电压M3保持平均电压的晶体管的栅电压狭义货币供应量M1及广义货币供应量M2。换句话说,它可以用数学形式如下:gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 晶体管的栅电压M1、M2和M3。图gydF4y2Ba3gydF4y2Ba显示电路实现电压操作,使用晶体管M4-M7和电流源gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

采用gydF4y2Ba gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba gydF4y2Ba 关系晶体管M1, M2和M3图gydF4y2Ba2gydF4y2Ba,它的结果gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 1gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 2gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 3gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 假设gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 用(gydF4y2Ba15gydF4y2Ba)(gydF4y2Ba18gydF4y2Ba),然后执行平方根双方的操作(gydF4y2Ba16gydF4y2Ba)- (gydF4y2Ba18gydF4y2Ba),获得以下表达式:gydF4y2Ba √gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba √gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba √gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba )gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba ⟹gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba ⋅gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 后一个操作(gydF4y2Ba20.gydF4y2Ba),它可以表示成如下条款(gydF4y2Ba9gydF4y2Ba]:gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba √gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 比较(gydF4y2Ba21gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba19gydF4y2Ba)表明,如果关系获得的平方电路/分频器是目前translinear注射电路和输入/输出电流的平方电路/分频器:gydF4y2Ba gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba DgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 图gydF4y2Ba4gydF4y2Ba显示了完整的电路二象限的平方电路/分配器,其中M1-M3形成金属氧化物半导体晶体管translinear循环,和晶体管M4-M7和电流源gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 受聘为电压意味着操作,剩下的晶体管用于向translinear注入适当的电流循环晶体管对(gydF4y2Ba22gydF4y2Ba)。从(gydF4y2Ba21gydF4y2Ba),很明显,通过改变的迹象gydF4y2Ba gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba ,这个方程保持不变。这意味着平方电路/分频器的输入是二象限,充当一个全波整流。从图gydF4y2Ba4gydF4y2Batranslinear MOS晶体管的源连接到基板上,所以身体效果是完全消除。同时,最小电路的电源电压是1gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba + 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 。最后,这个电路的复杂度小于之前报道的。gydF4y2Ba

4所示。仿真结果gydF4y2Ba

电流型模糊分类器电路基于图的框图gydF4y2Ba1gydF4y2Ba,提出二象限平方电路/分频器图gydF4y2Ba4gydF4y2Ba设计。电路是由HSPICE模拟与台积电0.18微米CMOS工艺参数,证实了该方法的准确性。gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ugydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba dgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ugydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 被雇佣。图的晶体管的纵横比gydF4y2Ba4gydF4y2Ba如表所示gydF4y2Ba1gydF4y2Ba。证明该提议的欧几里得距离计算器的应用电路,该电路采用模板匹配的模式识别系统。如图gydF4y2Ba5gydF4y2Ba所示,模式划分为若干个gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 网格,每个网格填充白色或黑色,和特点,通过一个向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba 。电路实现,每个网格都是根据它的颜色量化;也就是说,黑/白颜色是由当前30 uA / 10 uA。进行了电路的瞬态模拟提供三个输入测试模式之间的相似性度量方法,表示gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ∈gydF4y2Ba {gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba }gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba和9模板模式,表示gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (gydF4y2Ba gydF4y2Ba ∈gydF4y2Ba {gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba …gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba }gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 如图gydF4y2Ba6gydF4y2Ba。图gydF4y2Ba7gydF4y2Ba展示了每个输入模式之间的欧氏距离和九个模板模式。在模拟过程中,将每个输入模式对应的输入向量保持不变,而9模板模式(对应模板模式向量)连续回忆说,从向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 直到向量gydF4y2Ba gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba (图gydF4y2Ba6gydF4y2Ba),回忆下模板模式向量的每一个1。在上述描述的条件下,输出的输入模式gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 如图gydF4y2Ba7(一)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba7 (b)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba7 (c)gydF4y2Ba,分别。显然,这个距离的最小表明最近的输入模式和模板之间的匹配模式。同样,图gydF4y2Ba8gydF4y2Ba显示了每个输入模式的隶属度在每个时间每个模板的模式。仿真结果表明,这些模板模式的最大匹配程度的输入模式gydF4y2Ba gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 是gydF4y2Ba gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba * 1人,5人,分别和3人。这些数据表明,这些输入模式可以正确识别电路和仿真结果一致的计算与分析。给定的例子说明显示,这个电路执行函数的模糊分类器。在这两种情况下,欧几里得距离计算器和模糊分类器的决策是通过评估任何给定的输入模式的相似性。然而,欧几里得距离图的计算器gydF4y2Ba7gydF4y2Ba直接测量模板模式之间的相似性是接近一个输入模式,至少从输入是最遥远的一个类似于输入(最遥远的是零的模式是准确的输入,和最遥远的是60 uA的模式,它的所有像素反向输入像素的颜色),但在模糊分类器的图gydF4y2Ba8gydF4y2Ba改善可解释性和简化决策系统,一个简单的模型的隶属度函数(gydF4y2Ba11gydF4y2Ba)是使用,它允许我们正常化欧几里得距离计算器产生隶属度值的一个恒定的归一化电流信号gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (= 20 uA)相应的距离为零,并产生零隶属度时相应的距离趋于无穷时(在这种最遥远的工作和60 uA将5 u)。所以,从定义,函数的值之和gydF4y2Ba gydF4y2Ba gydF4y2Ba (= 20 uA)。gydF4y2Ba


晶体管gydF4y2Ba 宽度(嗯)gydF4y2Ba 长度(嗯)gydF4y2Ba

M1gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
平方米gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
M3gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
M4-M13gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
M14gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
M15gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba
M16gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba

电路中所需的时间识别模式的定义是将评估识别时间和最大上升/下降时间的计算器电路gydF4y2Ba3gydF4y2Ba]。此外,错误的电路输出电流的相对误差(gydF4y2Ba4gydF4y2Ba),将被计算gydF4y2Ba gydF4y2Ba RgydF4y2Ba egydF4y2Ba lgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba vgydF4y2Ba egydF4y2Ba egydF4y2Ba rgydF4y2Ba rgydF4y2Ba ogydF4y2Ba rgydF4y2Ba =gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba (gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba egydF4y2Ba ogydF4y2Ba rgydF4y2Ba egydF4y2Ba tgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba cgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba lgydF4y2Ba )gydF4y2Ba −gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba ugydF4y2Ba lgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba tgydF4y2Ba egydF4y2Ba dgydF4y2Ba )gydF4y2Ba gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ugydF4y2Ba tgydF4y2Ba (gydF4y2Ba tgydF4y2Ba hgydF4y2Ba egydF4y2Ba ogydF4y2Ba rgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 我gydF4y2Ba cgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba lgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 对于不同的输入电流模式。gydF4y2Ba

使用图gydF4y2Ba9gydF4y2Ba评估的模糊分类器电路的速度,计算了识别时间估计为最糟糕的情况下,上升时间的输入模式,在任何可能的滑动时间最远的从下一张幻灯片模板模式和时间将会切换到最可能的模板模式下降时间估计(反之亦然),这显示了该电路的识别时间小于250纳秒。同时,评价精度,输出电流的相对误差计算(gydF4y2Ba20.gydF4y2Ba)对于这个糟糕的情况和不同的输入电流模式,和结果表明,误差小于1%。为了确定温度效应的模糊分类器,数字gydF4y2Ba8(一个)gydF4y2Ba7个不同温度的模拟−25°C到125°C和25°C的步骤,如图gydF4y2Ba10gydF4y2Ba(关于这些温度)。仿真结果表明,欧几里得距离计算器电路的最大功耗小于1兆瓦。提供更多的洞察这里提出的技术,比较了与以前报道的电流型分类器电路表gydF4y2Ba2gydF4y2Ba。所以,提出电路的性能增加了(a),因为减少堆放晶体管相比前面的建议(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba5gydF4y2Ba),图的最小电路的电源电压gydF4y2Ba4gydF4y2Ba是一个gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba + 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 因此,它可以运行在较低的电源电压,从图(b)gydF4y2Ba4gydF4y2Ba,translinear MOS晶体管的源图gydF4y2Ba4gydF4y2Ba电路连接到基板上,所以体内的免疫效果和(c)的输入图的计算器吗gydF4y2Ba1gydF4y2Ba在两个象限工作,导致严重减少的基本构建块通过消除绝对和减法器单元相比其它建议(gydF4y2Ba3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba6gydF4y2Ba的数量),最后,这个电路的晶体管和功耗小于最之前的报道。gydF4y2Ba


参数gydF4y2Ba 文献[gydF4y2Ba2gydF4y2Ba,gydF4y2Ba3gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 文献[gydF4y2Ba4gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 文献[gydF4y2Ba5gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 文献[gydF4y2Ba7gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 这项工作gydF4y2Ba

技术gydF4y2Ba 0.6 ugydF4y2Ba 0.35 ugydF4y2Ba 0.5 ugydF4y2Ba 0.35 ugydF4y2Ba 0.18 ugydF4y2Ba
电源电压gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (3.3 V)gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba +gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (3.3 V)gydF4y2Ba ±1.65gydF4y2Ba gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (0.9 V)gydF4y2Ba
电力消耗gydF4y2Ba 15兆瓦gydF4y2Ba 预计> 10兆瓦gydF4y2Ba 16兆瓦gydF4y2Ba 0.66兆瓦gydF4y2Ba < 1兆瓦gydF4y2Ba
错误gydF4y2Ba 1%gydF4y2Ba 没有报告gydF4y2Ba 没有报告gydF4y2Ba 没有报告gydF4y2Ba 1%gydF4y2Ba
电路的复杂性(晶体管计数)gydF4y2Ba > 250gydF4y2Ba > 50gydF4y2Ba > 300gydF4y2Ba > 200gydF4y2Ba 144年gydF4y2Ba
身体的影响gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba 没有gydF4y2Ba
输入电流操作区域gydF4y2Ba 1四。gydF4y2Ba 1四。gydF4y2Ba 1四。gydF4y2Ba 1四。gydF4y2Ba 2四。gydF4y2Ba

5。结论gydF4y2Ba

实施一个新的合成工艺利用模糊分类的一个著名的欧几里得距离计算器。使用晶体管电路设计,在强烈的反转。的应用模板匹配的方法是描述和验证了模拟。仿真结果验证了电路和显示的功能实际电路的有效性和适用性,低功耗,低供给电压应用。gydF4y2Ba

引用gydF4y2Ba

  1. e . Seevinck r·f·Wassenaar和h c . k . Wong“宽带技术向量求和和rms-dc转换,“gydF4y2BaIEEE固态电路杂志》上gydF4y2Ba,19卷,不。3、311 - 318年,1984页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  2. s . i . Liu和c . c . Chang“CMOS平方律向量求和电路,”gydF4y2BaIEEE电路和系统IIgydF4y2Ba,43卷,不。7,520 - 524年,1996页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  3. b·d·刘,c . y . Chen和j . y .曹”电流型为模板匹配分类器电路模块化应用程序中,“gydF4y2BaIEEE电路和系统IIgydF4y2Ba卷,47号2、145 - 151年,2000页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  4. c . y . Chen j.y.曹、刘,“电流型电路实现模糊分类器与最大成员值决定,”gydF4y2Ba《IEEE国际研讨会在ISCAS’98电路与系统()gydF4y2Ba,3卷,第246 - 243页,1998年2月。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  5. c . Popa”工艺参数电流型欧几里得距离电路独立,”gydF4y2Ba国际半导体学报》会议(CAS 05)gydF4y2Ba2005年10月,页459 - 462。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  6. m . Panovic和A . Demosthenous“低功耗模拟数字视频编码、运动估计处理器”gydF4y2BaIEEE固态电路杂志》上gydF4y2Ba第41卷。。3、673 - 683年,2006页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  7. m . Yıldız s Minaei, i c . Goknar“灵活的电流型分类器电路及其应用”,gydF4y2Ba国际期刊的电路理论和应用程序gydF4y2Ba,38卷,不。3、221 - 232年,2010页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  8. e·西迪,“基于电子的电流型欧几里得距离计算器模拟translinear原则,”gydF4y2Ba电路理论和设计的欧洲会议会议程序(ECCTD ' 09)gydF4y2Ba安塔利亚,页221 - 224年,土耳其,2009年8月。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  9. e·西迪和s . m . Sayedi,“1.2 V电流型真正RMS-DC转换器基于浮栅MOS translinear原则,“gydF4y2Ba微电子学杂志gydF4y2Ba,39卷,不。2、293 - 298年,2008页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  10. j . c . BezdekgydF4y2Ba模式识别与模糊目标函数算法gydF4y2Ba、充气、纽约,纽约,美国,1981年。gydF4y2Ba
  11. 柯林斯,d·r·布朗和g·f·马歇尔,“模拟矢量匹配架构。”gydF4y2Ba模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba,8卷,不。3、247 - 257年,1995页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  12. e·西迪,“合成ab类log-domain过滤器基于非线性跨导,“gydF4y2Ba微电子学杂志gydF4y2Ba第41卷。。5,266 - 276年,2010页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  13. 大肠Seevinck和r . j . Wiegerink“广义translinear电路原理,”gydF4y2BaIEEE固态电路杂志》上gydF4y2Ba,26卷,不。8,1098 - 1102年,1991页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  14. d·r·弗雷”指数状态空间过滤器:一个通用的电流模式设计策略,”gydF4y2BaIEEE电路和系统gydF4y2Ba,43卷,不。1,34-42,1996页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  15. j·穆德,a·c·范德Woerd w·a . Serdijn和a . h . m . Van Roermund,“一个基于动态translinear RMS-DC转换器原理,“gydF4y2BaIEEE固态电路杂志》上gydF4y2Ba,32卷,不。7,1146 - 1150年,1997页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  16. w·s·韦和y . c .黄”,一个CMOS delta-sigma真有效值转换器,”gydF4y2BaIEEE固态电路杂志》上gydF4y2Ba,35卷,不。2、248 - 257年,2000页。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba
  17. a . j . Lopez-Martin和a . Carlosena“1.5 V CMOS压缩滤波器,”gydF4y2Ba电子信件gydF4y2Ba,38卷,不。22日,第1348 - 1346页,2002年。gydF4y2Ba视图:gydF4y2Ba出版商的网站gydF4y2Ba|gydF4y2Ba谷歌学术搜索gydF4y2Ba

版权©2011 Ebrahim西迪。这是一个开放的分布式下文章gydF4y2Ba知识共享归属许可gydF4y2Ba,它允许无限制的使用、分配和复制在任何媒介,提供最初的工作是正确引用。gydF4y2Ba


更多相关文章gydF4y2Ba

PDFgydF4y2Ba 下载引用gydF4y2Ba 引用gydF4y2Ba
下载其他格式gydF4y2Ba更多的gydF4y2Ba
订单打印副本gydF4y2Ba订单gydF4y2Ba
的观点gydF4y2Ba1628年gydF4y2Ba
下载gydF4y2Ba644年gydF4y2Ba
引用gydF4y2Ba

相关文章gydF4y2Ba