In2S3thin films were deposited by flash evaporation of In2S3 powder. The effect of annealing in vacuum and under sulphur atmosphere on the structural and optical properties of these films was investigated. X-ray diffraction studies reveal that the as-deposited films are amorphous. The formation of β-In2S3 phase is obtained after annealing under vacuum at 693 K. Heat treatments under sulphur pressure lead to the formation of the above phase at a less annealing temperature (573 K). The energy dispersive X-ray (EDX) analysis reveals that the sulphurized films are nearly stoichiometric and those annealed in vacuum are sulphur deficient. Optical transmission spectra showed a slight shift of the absorption edge towards lower wavelengths. The optical gap value varied between 2.4 and 3 eV as a function of the film thickness and the annealing temperature."> 通过闪蒸蒸发制备的In2S3薄膜的结构和光学性质 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件/2004年/文章

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体积 27. |文章ID. 964168 | https://doi.org/10.1080 / 08827510310001648899.

K.Bouabid，A.Ihlal，A. Outzourhit，E. L. Ameziane那 “结构和光学性质 闪光蒸发制备的薄膜“，主动和被动电子元件那 卷。27.那 文章ID.964168那 8. 页面那 2004年。 https://doi.org/10.1080 / 08827510310001648899.

结构和光学性质 在 2 S. 3. 闪光蒸发制备的薄膜

K.Bouabid.那1 A. ihlal.那1 A. Outzourhit.那2 和 E. L. Ameziane.2

1Equipe de Physique des Semi-movingurs，Départementdemearique，Bacultédesscience，Ibn Zohr，Agadir B.P.28 / S，摩洛哥

2Laboratoiredeporyique des Solides et des Couches Minces，DépartementdeMeathique，FacultédsceiquesSemlalia，Marrakech BP：S / 3293，摩洛哥

已收到 2003年10月12日
修改 2003年11月17日

抽象的

在 2 S. 3. 通过闪蒸蒸发沉积薄膜 在 2 S. 3. 粉末。研究了在真空中和硫气氛下对这些薄膜的结构和光学性质进行退火的影响。X射线衍射研究表明，沉积的薄膜是无定形的。的形成 β - 在 2 S. 3. 在真空下在693K在真空下退火后获得相。硫压力下的热处理导致在更少的退火温度（573k）下形成上述相。能量分散X射线（EDX）分析显示，硫化膜几乎是化学计量，真空退火的那些是硫的缺陷。光传输光谱显示吸收边缘朝向更低波长的略微偏移。作为膜厚度和退火温度的函数，光间隙值在2.4和3eV之间变化。

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