文摘

的退火的影响 n 砷化镓半导体光电化学(压电)系统在其特点已被调查。光电流密度vs潜在的阴谋被退火改善。电池效率和短路电流密度提高退火 n 砷化镓。热的冷却速度的影响 n 砷化镓晶片也被调查。发现缓慢冷却电极给更好的暗电流密度vs。潜在的阴谋,样品退火低于600ºC。样品在高温退火,淬火给更好的暗电流密度vs潜在的阴谋。为 n 砷化镓,慢慢冷却温度低于600ºC的电极显示更好的光电流密度vs潜在的阴谋和更高的效率。 n 砷化镓样本,淬火温度高于700ºC,显示更好的光电流密度vs潜在的阴谋和更高的效率比缓慢冷却。