主动和被动电子组件

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体积 26 |文章ID 320237 | https://doi.org/10.1080/0882751031000116124

Subhi K. Salih，Hikmat S. Hilal，Iyad A. Sa'deddin，Elisabeth Sellier，Guy Campet，，，， “修改 n-s 我以不同的速度退火和冷却的特征”，主动和被动电子组件，，，，卷。26，，，，文章ID320237，，，， 18 页面，，，， 2003。 https://doi.org/10.1080/0882751031000116124

修改 n-s 我以不同的速度退火和冷却的特征

Subhi K. Salih，，，，¹ Hikmat S. Hilal，，，，¹ Iyad A. Sa'deddin，，，，¹ Elisabeth Sellier，，，，² 和盖伊·坎特²

¹科学学院，An-Najah N. University，P.O。Box 7，巴勒斯坦权威

²de chimie de la Matiere Condensee de Bordeaux du Cnrs，Brivazac Chateau，A.A.Schweitzer大道

已收到 2002年12月30日

修改 2003年3月21日

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已经研究了N-SI半导体对光电化学系统中其特性的退火的影响。退火改善了黑电流密度与潜在图。通过退火来改善表面，如SEM结果所表明的那样。还研究了冷却速率对预热的N-SI晶圆的影响。发现缓慢冷却的电极给出了更好的深色电流密度与电势图，对于低于550°C的样品而言。对于在较高温度下退火的样品，淬火给出了更好的深色密度与潜在图。SEM测量结果与这些发现相似。对于从低于550°C的温度缓慢冷却的晶片，观察到了增强的表面纹理。从高于550°C的温度中淬火的样品表现出比缓慢冷却的样品更好。

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