Ω microstrip line with DGS at the output section, while the other has only a 50Ω straight line. Measured results show that DGS suppresses the second harmonic more than −20 dBm at the output and yields improved output power by 3−5%."> 与谐波抑制和输出功率提高VCO使用叛逃地面结构 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件/2003年/文章

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体积 26 |文章的ID 286246年 | https://doi.org/10.1080/0882751031000116106

海问刘,晓伟太阳,Zhengfan李, ”与谐波抑制和输出功率提高VCO使用叛逃地面结构”,主动和被动电子元件, 卷。26, 文章的ID286246年, 7 页面, 2003年。 https://doi.org/10.1080/0882751031000116106

与谐波抑制和输出功率提高VCO使用叛逃地面结构

海问刘,1,2 晓伟太阳,2 和 Zhengfan李1

1上海交通大学电子工程系,200030年上海,中国

2上海微系统与信息技术研究所,中国科学院,200050年上海,中国

收到了 2003年1月14日
修改后的 2003年3月21日

文摘

在这篇文章中,一个新颖的叛逃地面结构(DGS)提出了抑制谐波和提高输出功率微波压控振荡器(VCO)的电路。并行连接的DGS形成两个周期结构具有不同的中心频率(2:3的比例)的阻带,并提供在某些频段能带特征。模拟和实验结果表明,与DGS微带线宽基本频率的低通带和阻带的二次谐波有很好的性能。评估DGS的影响微波配装,两个砷化镓场效应晶体管(FET)配装已经设计和制造。其中一个有50 Ω 与DGS微带线输出部分,而另一个只有50 Ω 直线。测量结果表明,DGS抑制二次谐波比 − 20. dBm的输出和收益率提高输出功率 3 − 5 % 。

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