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R. Marrakh, A. bouhada， ＂ldd - nmosfet I-V特性与热载流子注入缺陷关系的建模"，有源和无源电子元件， 卷。26， 文章的ID194142， 8 页面， 2003． https://doi.org/10.1080/08827510310001624363
ldd - nmosfet I-V特性与热载流子注入缺陷关系的建模
收到了
2002年5月30日
修改后的
2002年7月3日
摘要
随着MOS晶体管尺寸的增大，热载流子注入对I-V特性的影响越来越大。对于轻掺杂漏极MOS晶体管，由于MOS结构中的高电场引起的热载流子注入局限于LDD区域。由于热载流子注入，漏极电流与缺陷相关的模型使我们能够研究器件的I-V特性和跨导。因此，我们可以知道由这些缺陷引起的器件退化的数量，以便找到优化可靠性的技术解决方案。
版权
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