有源和无源电子元件
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有源和无源电子元件/2002/文章

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体积 25 |文章的ID 863097 | 9 页面 | https://doi.org/10.1080/08827510213500

VDOMS功率晶体管功能应力退化的分析与仿真

m . Zoaeter,1 b . Beydoun,1 m .座谈会,1 m·德布斯,1 和 j]查尔斯2

1材料物理实验室，黎巴嫩大学理学院，P.O.箱13 - 5789年黎巴嫩

2材料opaux Optiques, Photonique et Systemes (MOPS)， CLOES, Supelec, 2, rue Edouard Belin，法国

收到了 05年9月2001年
修改后的 2001年11月06

摘要

在一定的功能应力条件下使用VDMOS晶体管会改变其物理和电学性能。本文通过物理分析和SPICE模拟，探讨了在该应力作用下材料微电子结构的降解效果，并提出了相应的降解参数。

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