1KA/cm2 were achieved at room temperature. In addition, the maximum available power is estimated up to 5W/cm2 . The mechanism for such performance is phenomenologically analyzed by the combination of resonant interband tunneling (RIT) and thermionic emission processes associated with tunneling effect on the metal-semiconductor (MS) interface."> MOCVD生长的δ掺杂AlInP结构的负微分电阻行为 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
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有源和无源电子元件
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有源和无源电子元件/2002/文章

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体积 25 |文章的ID 728125 | https://doi.org/10.1080/08827510213497

k . f .纱， ＂MOCVD生长的δ掺杂AlInP结构的负微分电阻行为"，有源和无源电子元件， 卷。25， 文章的ID728125， 4 页面， 2002． https://doi.org/10.1080/08827510213497

MOCVD生长的δ掺杂AlInP结构的负微分电阻行为

k . f .纱1，2

1台湾台南新世光电半导体中心，台湾台南744

2704中国台湾台南345号信箱

收到了 2001年11月17日
修改后的 2002年3月21日

摘要

首次证明了一种具有负微分电阻(NDR)特性的AlInP掺杂δ肖特基二极管。NDR特性峰谷比为5.5，峰电流密度为 1 K 一个 / c 米 2 都是在室温下完成的。此外，最大可用功率估计高达 5 W / c 米 2 ．通过结合共振带间隧穿(RIT)和金属-半导体(MS)界面隧穿效应的热离子发射过程，对这种性能的机理进行了现象学分析。

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