有源和无源电子元件

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体积 25 |文章的ID 640238 | 4 页面 | https://doi.org/10.1080/08827510213495

两种新算法产生的负阻电路的复杂性

Umesh库马尔¹

¹印度德里，新德里-110016

收到了 2001年6月18日

修改后的 2001年8月13日

摘要

有两种算法可以生成具有类似隧道二极管的n型V-1特性或类似四层pnpn二极管的s型V-1特性的负阻器件。我们在这里提出了这些电路的选择使用双极，JFET或MOSFET或他们的组合。

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