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开放获取
MBE研制的一种新型GaAs/GaAs/InGaAs激光开关
收到了
2000年6月30日
接受
2000年7月12日
摘要
在双异质结构中研究了一种基于前向偏置pn结降低势垒再生回路的量子阱光电开关。优异的电气开关特性和高电压控制效率η(= V年代/ VH)，在黑暗中操作时，得到6.8。典型的再现出来,开态电阻kΩ120人,分别为25Ω。激光阈值电流密度、前坡效率和外微分量子效率分别为210 A/cm、0.4mW/mA和31.4%。峰值发射波长集中在约974 nm处。
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