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C. -T。萨拉梅，C.里兹克，G. Jelian， “基于电气和光学测量VDMOSFET模型参数提取”有源和无源电子元件， 第一卷。23， 文章编号828957， 11 网页， 2001年。 https://doi.org/10.1155/APEC.23.185
基于电气和光学测量VDMOSFET模型参数提取
收到
2000 8月22日
公认
2000 9月13日
抽象
对于VDMOSFET（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）与六角形单元横向器件参数基于电气和光学测量已经被提取由原始模型。使用显微镜观察该装置的船舶，并通过C-V特性，横向器件结构参数可被提取。所提取的参数的值与由所制造的给出的值良好的相关性。这种模式的优点高精度结果与低成本。也许，在这个模型中，最重要的一点，我们就可以代替一般在这项研究中，我们摧毁了设备用于切割和结构的横截面采用的其他技术。在本文所提出的技术可以用于分析VDMOS晶体管（六边形，三角形，正方形的任何复杂的几何结构是非常有用的等等...）。
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