主动和被动电子元件

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主动和被动电子元件/2001年/文章

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体积 24 |文章的ID 078036年 | https://doi.org/10.1155/2001/78036

k . f .纱、k . h, 热效应和频率响应分析异质结双极功率晶体管”,主动和被动电子元件, 卷。24, 文章的ID078036年, 23 页面, 2001年 https://doi.org/10.1155/2001/78036

热效应和频率响应分析异质结双极功率晶体管

收到了 2001年6月25日
接受 2001年8月20日

文摘

异质结双极晶体管(HBT)基于Npn型AlGaAs /砷化镓材料系统已经引起了相当大的关注为微波功率和数字应用程序由于其高速度和高电流的能力。本文基于数值模型Npn型AlGaAs承运人运输/砷化镓HBT结构。三位数的优点在设备操作,电流增益,截止频率和最大振荡频率计算。此外,热不稳定性起着重要的作用对权力的HBT导致砷化镓低导热系数。生成的热量会增加结温,导致自我毁灭。因此,热失控的研究结温度、电流电压(四世)使用分析热特性和频率响应模型。

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