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C. R. Tellier, C. A. Hodebourg, S. Durand, ”对(hk0)和(hh)化学腐蚀的各向异性进行了研究l)在NaOH 35%溶液中的硅板。第二部分:三维蚀刻形状，与KOH分析比较56%”,有源和无源电子元件, 卷。24, 文章的ID073462, 22 页面, 2001。 https://doi.org/10.1155/2001/73462
对(hk0)和(hh)化学腐蚀的各向异性进行了研究l)在NaOH 35%溶液中的硅板。第二部分:三维蚀刻形状，与KOH分析比较56%
收到了
2001年6月20日
接受
2001年8月20日
摘要
研究了各种(hk0)和(hh)的微细加工l) NaOH 35%溶液中的膜-台面结构。微加工结构的最终蚀刻形状显示了类型1的显著各向异性。用晶体各向异性溶解的运动学模型和张量模型分析了蚀刻形状。通过顶等高线的立体分析，确定了一些晶体面、限制膜和台面。本研究的结论与先前的工作非常一致。
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