7 ⋅ 10−7 when L decrease from 2 to 0.1 μm, this behaviour found expression in a fast increase of the substrate current maximum Isubmax⁡. Moreover it is observed that contrarily of long channels, low temperature operation is favourable to reduce hot carrier effects in submicrometer MOSFET's and may represent a promising alternative for the improvement of the performances of Si integrated circuits."> 分析温度和衬底电流在深亚微米MOSFET漏电压的依赖关系 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件/2001年/文章

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体积 24 |文章的ID 065128年 | https://doi.org/10.1155/2001/65128

y Amhouche, a . El Abbassi k·莱斯,r . Rmaily, ”分析温度和衬底电流在深亚微米MOSFET漏电压的依赖关系”,主动和被动电子元件, 卷。24, 文章的ID065128年, 9 页面, 2001年。 https://doi.org/10.1155/2001/65128

分析温度和衬底电流在深亚微米MOSFET漏电压的依赖关系

y Amhouche,1 a . El Abbassi,1 英国莱斯,1 和 r . Rmaily1

1Laboratoire de Caracteisation des Composants Semi-conducteurs,大学Chouaib Doukkali,安塞20日,摩洛哥

收到了 2001年04月01
接受 2001年5月15

文摘

本文的详细实验研究通道长度,衬底电流漏极电压和温度的依赖关系Isub在亚微米MOSFET的。碰撞电离率α与减少通道长度显著增加l和1076, 7 ⋅ 10 − 7 L减少从2到0.1μm时,这种行为体现在快速增长的衬底电流最大 我 年代 u b 马克斯 ⁡ 。而且长观察到相反的通道,低温操作有利于减少亚微米MOSFET的热载流子效应,可能代表一种有前途的替代硅集成电路的性能的提高。

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