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体积 24 |文章的ID 18731 | 13 页面 | https://doi.org/10.1155/2001/18731

应力对亚微米n -金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响

r . Marrakh¹和 答:Bouhdada

¹

¹摩洛哥卡萨布兰卡，哈桑第二大学科学学院，Kin8, Jadida路，BP 5366 Maarif，摩洛哥

收到了 2001年4月15日

接受 2001年5月15

摘要

在本文中，我们提出了一个有应力短通道MOSFET漏极电流模型。应力条件的选择使热载流子产生的界面状态占主导地位。采用时空高斯分布的方法模拟了应力时产生的缺陷。寄生源和漏电阻包括在内。我们还研究了应力过程中产生的界面电荷密度对跨导的影响。模拟结果显示漏极电流随应力时间的变化而显著降低。

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