PDF
开放获取
c . Salame f . Pelanchon Mialhe页, ”退化的VDMOSFET重离子射线”,主动和被动电子元件, 卷。22, 文章的ID090585年, 18 页面, 2000年。 https://doi.org/10.1155/2000/90585
退化的VDMOSFET重离子射线
收到了
1999年12月28日
接受
2000年1月28日
文摘
本文主要关注重离子射线的影响VDMOSFET的电特性(垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)设备。总结的总剂量效应和单一事件影响覆盖评估实验观察。设备退化由于热运营商结雪崩物理参数提取方法进行了研究,导致退化过程的理解。结果表明,保护电阻负载设备可以减少退化效应。
版权
版权©2000 Hindawi出版公司。这是一个开放的分布式下文章知识共享归属许可,它允许无限制的使用、分配和复制在任何媒介,提供最初的工作是正确引用。
