有源和无源电子元件gydF4y2Ba

/gydF4y2Ba/gydF4y2Ba文章gydF4y2Ba

在这一页上gydF4y2Ba

开放获取gydF4y2Ba

体积gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba |gydF4y2Ba文章的IDgydF4y2Ba 074014gydF4y2Ba |gydF4y2Ba https://doi.org/10.1155/2000/74014gydF4y2Ba

M. rahmon, E. Bendada, A. El Hassani, K. RaïsgydF4y2Ba，gydF4y2Ba ＂gydF4y2Ba热载体应力下的松弛损伤gydF4y2BangydF4y2Ba金属氧化物半导体晶体管gydF4y2Ba"，gydF4y2Ba有源和无源电子元件gydF4y2Ba，gydF4y2Ba 卷。gydF4y2Ba22gydF4y2Ba，gydF4y2Ba 文章的IDgydF4y2Ba074014gydF4y2Ba，gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 页面gydF4y2Ba，gydF4y2Ba 2000gydF4y2Ba．gydF4y2Ba https://doi.org/10.1155/2000/74014gydF4y2Ba

热载体应力下的松弛损伤gydF4y2BangydF4y2Ba金属氧化物半导体晶体管gydF4y2Ba

m . RahmoungydF4y2Ba，gydF4y2Ba^1gydF4y2Ba 大肠BendadagydF4y2Ba，gydF4y2Ba^1gydF4y2Ba a . El HassanigydF4y2Ba，gydF4y2Ba^2gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba 英国莱斯gydF4y2Ba^3.gydF4y2Ba

^1gydF4y2Balabatoire de la lectronique, de Capteurs et’instrumentation, Université My Ismaïl, FST, B.P. 509, Errachidia，摩洛哥gydF4y2Ba

^2gydF4y2Ba电子和信息特性实验室，Université My Ismaïl, Faculté des Sciences, Meknés，摩洛哥gydF4y2Ba

^3.gydF4y2BaLaboratoire de Caractérisation des Composants à Semiconducteur, Université Chouaéb Doukkali, Faculté des Sciences, B.P. 20 El Jadida，摩洛哥gydF4y2Ba

修改后的gydF4y2Ba 1999年3月16日gydF4y2Ba

接受gydF4y2Ba 1999年5月09gydF4y2Ba

摘要gydF4y2Ba

试验了一种器件表征方法，以确定热载流子应力引起的松弛损伤gydF4y2BangydF4y2Ba金属氧化物半导体晶体管。在外加应力条件下，提出了功率hexfet体漏结物理参数的退化问题gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba ＝gydF4y2Ba VgydF4y2Ba dgydF4y2Ba / 2。电阻级数、理想系数和反向复合电流的大幅度减小与弛豫时间有关，且在gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba = -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba dgydF4y2Ba ．这些效应被讨论和解释在界面状态的演变。gydF4y2Ba

版权gydF4y2Ba

60gydF4y2Ba 的观点gydF4y2Ba|gydF4y2Ba 411gydF4y2Ba 下载gydF4y2Ba |gydF4y2Ba0gydF4y2Ba 引用gydF4y2Ba

PDFgydF4y2Ba

下载引用gydF4y2Ba

引用gydF4y2Ba

订单打印副本gydF4y2Ba订单gydF4y2Ba

有源和无源电子元件gydF4y2Ba

热载体应力下的松弛损伤gydF4y2BangydF4y2Ba金属氧化物半导体晶体管gydF4y2Ba

摘要gydF4y2Ba

版权gydF4y2Ba

更多相关文章gydF4y2Ba

相关文章gydF4y2Ba