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收到了
1999年4月23日
接受
1999年7月20日
摘要
提出了一种提取单二极管模型结参数的新方法。最小二乘法方法考虑偏差∆V=f(我)与实验电流-电压(我-V特性和理论的任意特性。一个特定的情况——∆V识别出简化为直线的图形，根据斜率和与纵坐标轴的截距确定结点参数。将该方法应用于晶体管发射基结的表征，并对表征结果进行了讨论。
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