通过测量其反向电流电压,研究了a- sic /c-Si(n)等异质结作为温度传感器的特性
(
我
R
−
V
)及反向电压-温度(V-T)特性,以及其逆电流温度依赖性。的
我
R
−
V特性表现出几乎恒定的电流,而相反的电流
我
R强烈依赖于T(从230公里到320公里)的V-T在不同的反向电流下,其特性显示了对a- sic /c-Si(n)连接。温度敏感性(Δ的测量值V/ΔT)马克斯被发现(≅−-2.5 V / K)温和的温度范围,这远高于同大部分半导体温度传感器。a-SiC/c-Si的高灵敏度-温度范围n异质结可以用电控制在230k到320k的范围内。最后,这些器件的高灵敏度,加上a-SiC薄膜可以作为现有Si技术的附加组件,为制造高灵敏度温度微传感器提供了新的可能性。