有源和无源电子元件
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有源和无源电子元件/1998/文章

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体积 21 |文章的ID 38280 | 27 页面 | https://doi.org/10.1155/1998/38280

MOSFET的四能级模拟

m . n . Doja,1 Moinuddin,1 和 Umesh库马尔1

1电子工程系，Jamia mila Islamia，印度

收到了 1998年1月06
接受 1998年4月15日

摘要

本文开发了一个用于四能级mosfet模拟的软件(MOSOFT)。该软件可以模拟器件特性到微米通道长度，包括长通道、短通道、亚阈值和场相关的迁移率退化模型。

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