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g . y . y . c . Chan李, ”制造和表征的多层电容器埋在一个低温Co-Fired陶瓷基片”,主动和被动电子元件, 卷。20., 文章的ID025127年, 10 页面, 1998年。 https://doi.org/10.1155/1998/25127
制造和表征的多层电容器埋在一个低温Co-Fired陶瓷基片
收到了
1997年9月25日
接受
1997年11月03
文摘
多层陶瓷电容器设计为嵌入在低温co-fired陶瓷基片已经成功地编造的。低和高价值的电容器分别嵌入到低K多层基板和高K介电层。埋电容器的电容密度范围(1 kHz)从220 pF /厘米230 nF /厘米2。设计了专门考虑材料兼容性和收缩特征。升温速率的影响和峰值温度保持时间对层压板的致密化进行了研究。扫描电子显微图显示没有明显的开裂发射组件。埋电容器的电气性能损耗等因素,绝缘电阻和击穿电压进行了研究,发现有利于设备的应用程序。耗散因子和系数的温度依赖性埋电容器的电容也进行了研究。
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