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S. D. Han, N. Treuil, G. Campet, J. Portier, C. Delmas, J. C. Lassègues, A. Pierre, "锂在NCIM中可逆电化学插入的机理年代(Nano-Crystallite Insertion-Materials)",有源和无源电子元件, 卷。18, 文章的ID086802, 4 页面, 1995. https://doi.org/10.1155/1995/86802
锂在NCIM中可逆电化学插入的机理年代(Nano-Crystallite Insertion-Materials)
收到了
1994年11月20日
接受
1994年11月30日
摘要
一种新型的复合插入电极,称为NCIM年代(纳米微晶插入材料)已经被提出:主要要求是电极材料必须是多晶的,微晶和粒径尽可能小(公认的定义是许多微晶组成一个粒子)。事实上,通过最小化微晶的尺寸,有利于缺陷的形成,特别是在微晶表面,充当Li的可逆(反)接枝位点+.此外,不仅在晶界区域,而且在晶内靠近晶面的区域,正负离子的结合减弱,进而导致Li的电化学插入+通过简单的键合重排发生。
版权
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