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收到
1995年3月6日
公认
1995年04月03日
抽象
本文呈现耿氏，可控硅，和p-n结的和发生内的物理过程的一个详细的分析研究。基于这些装置的性质，机型为耿氏，可控硅，和p-n结二极管已被开发。计算机模拟例子的结果已经在每种情况下被提出。为耿氏非线性集总模型是一个统一的模式，因为它描述了扩散效应作为域traves从阴极到阳极。这种模型的一个额外的特点是，它描述了域灭绝和成核现象在耿氏dioder用简单的定时电路的帮助。对于SCR非线性集总模型是通用的和是下在任何电路环境任何操作模式有效。对于p-n结二极管的忆阻电路模型能够逼真地模拟在反向，正向和sinusiodal操作模式二极管的动态行为。该模型使用忆阻器，电荷控制的电阻器，以模拟各种二阶效应由于电导率调制。据发现，该二极管的两个存储时间和下降时间可以被准确地预测。
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