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卷 17 |文章编号 58945 | 3 网页 | https://doi.org/10.1155/1995/58945

四面体结合的非晶体半导体的磁化率

M. A.格拉多Caffaro¹和 M.格拉多Caffaro¹

¹C./Julio帕拉西奥斯，11，9ºB，西班牙

收到 1994年8月5日

公认 1994年07九月

抽象

上四面体非晶半导体的磁化率一个特殊理论制剂提出。这一提法是基于涉及两届瓦尼尔表示：抗磁性项，顺磁贡献。此外，电子自旋共振称为非晶硅被认为是。

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