在砷化镓基板上模拟生长的高质量碲化镉层的特性

摘要

以二甲基镉(DMCd)和二乙基脲(DETe)为烷基源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在(100)砷化镓(gaas)衬底上成功地生长了CdTe外延层。生长在365 ~ 380℃之间的碲化镉脱毛器具有最好的表面形貌。在这一生长系统中，白藜芦醇被用作控制种。典型增长率从2.51不等 µ 米/小时至5.31 µ 米/小时。低温(12K)光致发光(PL)测量结果显示，380℃是最佳生长温度，受束缚激子发射9.38meV的影响，主导峰半峰宽约为1.583eV。双晶x射线摇摆曲线(DCRC)表明，随着毛坯厚度的增加，半宽调制逐渐减小，在增长率为5.2的情况下，半宽调制趋于稳定 µ m/hr，生长温度为380℃，DETe/DMCd浓度比为1.7。FWHM中80弧秒的值是迄今为止报道过的最小值。

有源和无源电子元件

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