有源和无源电子元件

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有源和无源电子元件/1993/文章
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高- - - - - - T c 超导

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体积 15 |文章的ID 075496 | https://doi.org/10.1155/1993/75496

J. Levoska, S. Leppävuori 高温c超导YBa23.O7 -δ电影和YBa23.O7 -δ/ PrBa23.O7 -δ激光烧蚀沉积的超晶格",有源和无源电子元件 卷。15 文章的ID075496 8 页面 1993 https://doi.org/10.1155/1993/75496

高温c超导YBa23.O7 -δ电影和YBa23.O7 -δ/ PrBa23.O7 -δ激光烧蚀沉积的超晶格

收到了 1992年11月15日
接受 1992年12月16日

摘要

高温c超导YBa23.O7 d薄膜和YBa23.7 -δ/ PrBa23.O7 -δ在SrTiO上用激光烧蚀沉积了不同周期和不同厚度的超晶格3.(100)单晶衬底使用XeCl准分子激光器(λ = 308 nm)。采用SEM/EDS和x射线衍射分析了薄膜的结构。薄膜和超晶格沉积在原位c轴垂直于基体表面,a轴和b轴平行于SrTiO3.[100]或[010]方向。通过测量电流-电压特性、电阻率和临界电流,研究了其电性能。为原位沉积YBa23.O7 d薄膜的零电阻温度为87 ~ 90 K, 77 K时的临界电流在2 × 10以上6一个/厘米2.对于在室温下沉积的薄膜和在室温下退火后的薄膜原位沉积条件、临界温度相同,但临界电流为0.5 × 106一个/厘米2

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