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C. Nobili, F. Nava, G. Ottaviani, M. Costato, G. De Santi, G. Queirolo， ＂氧存在下钛硅化物的形成"，有源和无源电子元件， 卷。15， 文章的ID094394， 18 页面， 1992． https://doi.org/10.1155/1992/94394
氧存在下钛硅化物的形成
收到了
1990年12月24日
接受
1991年11月18日
摘要
为了研究退火环境中氧的存在对TiSi非晶薄膜完整性的影响，采用原位电阻率随温度的变化、卢瑟福后向散射光谱、俄杰电子能谱和x射线衍射等测量方法x， x的取值范围为1.45到2.1。400摄氏度左右发生结晶，500摄氏度左右氧气的存在产生硅和氧化钛的形成。对实验结果的关键分析表明，当硅的存在过量时，金属的氧化被抑制，这表明使用溅射硅涂层帽作为介质，能够有效地将硅化膜与氧解耦。这避免了不必要的钛氧化，即使在重氧污染的环境中，最高温度用于形成低电阻率的二硅化钛。
版权
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