摘要 通过包含半介电层，一种新的MOSFET结构，T-MOSFET和它的集成电路版本被提出。对于增强模式和耗尽模式，建立了等效电路模型。同时，用一个模型解释了T-MOSFET的高频特性，并给出了它在不同条件下的特性。 版权 印达维出版公司版权所有。这是一篇开放获取下发布的文章知识共享署名许可，允许在任何媒体中不受限制地使用、发布和复制原创作品，只要原稿被正确引用。
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